日前，AOS万国半导体推出两款最新100V MOSFET：AO4290A和AON6220。这两款产品为反激式电源同步整流应用量身打造，均支持逻辑电平驱动。

其中采用SO-8封装的AO4290A在4.5V驱动时导通内阻低于7.6mohm，DFN5x6封装的AON6220内阻低于7.4mohm。完美适用于手机快速充电器和USBPD适配器对5V大电流输出兼容高达20V可调输出电压的苛刻要求。

随着智能手机和笔记本电脑电池容量的增加，快速充电日益成为用户的核心需求。大功率快充成为高端智能手机的标配。在输出功率增加了数倍的同时，如何保证手机充电器的小尺寸高效率和低温升？同步整流方案成为所有厂家的不二之选。最新的数字控制技术可以完全省去额外并联的肖特基二极管，这就需要进一步降低同步整流MOSFET的导通损耗和开关损耗。AO4290A和AON6220就是为高效率而生，低内阻和低寄生电容有效降低了导通损耗和开关损耗。此外，同时提供SO-8封装和DFN5x6封装，使得快速充电器制造商可以根据SMT制程灵活选择，来简化贴片工艺或者优化整机散热性能。

“反激式电源方案越来越多地采用同步整流技术，这能有效地降低充电器的发热，加强产品的集成化。手机快充和直充为同步整流需求带来了革命性的变化，USB TypeC PD的标准化进一步要求同步整流适应更高的功率等级。AOS作为第一代快充方案的主流供应商，其AlphaSGTTM专利技术不仅适用于5V大电流应用，而且提供5V/9V/12V/20V可调电压系统的同步整流解决方案。今天发布的两款产品，使我们的客户和合作伙伴能够轻松设计出高效率的反激电源。”万国半导体MOSFET资深市场总监冯雷介绍到。

凡本网站未注明“文章来源”的所有作品，版权均属于亿芯盛（www.fashnel.com），转载请经亿芯盛授权。

凡本网站注明“文章来源”的信息，均转载自其他媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表我司赞同其观点及对其真实性负责。