Parallel NAND Flash

兆易创新GD9F Parallel NAND Flash为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等设备的多媒体数据存储应用提供所必需的大容量存储和性能。

主要特性：

电源：1.8V (1.7V ~ 1.95V)或3.0V (2.7V ~ 3.6V)

分页大小：2048 + 128 Byte或2048 + 64 Byte

兼容ONFi

封装类型：TSOP-48、FBGA-63、FBGA-48

容量：1Gb至8Gb

高可靠性：数据保留时间10年，且编程/擦除周期高达100000次

温度范围：-40℃~85℃/-40℃~105℃

高性能特性：缓存读取/编程操作

安全特性：OTP、UID与阵列保护

型号列表：

GD9AS2G6F3A

GD9AS2G8F3A

GD9AS4G6F3A

GD9AS4G8F3A

GD9AS8G6E3A

GD9AS8G8E3A

GD9AU2G6F3A

GD9AU2G8F3A

GD9AU4G6F3A

GD9AU4G8F3A

GD9AU8G6E3A

GD9AU8G8E3A

GD9FS1G6F2A

GD9FS1G6F3A

GD9FS1G8F2A

GD9FS1G8F2D

GD9FS1G8F3A

GD9FS2G6F2A

GD9FS2G6F3A

GD9FS2G8F2A

GD9FS2G8F3A

GD9FS4G6F2A

GD9FS4G6F3A

GD9FS4G8F2A

GD9FS4G8F3A

GD9FS8G6E2A

GD9FS8G6E3A

GD9FS8G8E2A

GD9FS8G8E3A

GD9FU1G6F2A

GD9FU1G6F3A

GD9FU1G8F2A

GD9FU1G8F2D

GD9FU1G8F3A

GD9FU2G6F2A

GD9FU2G6F3A

GD9FU2G8F2A

GD9FU2G8F3A

GD9FU4G6F2A

GD9FU4G6F3A

GD9FU4G6F4B

GD9FU4G8F2A

GD9FU4G8F3A

GD9FU4G8F4B

GD9FU8G6E2A

GD9FU8G6E3A

GD9FU8G6E4B

GD9FU8G8E2A

GD9FU8G8E3A

GD9FU8G8E4B

凡本网站未注明“文章来源”的所有作品，版权均属于亿芯盛（www.fashnel.com），转载请经亿芯盛授权。

凡本网站注明“文章来源”的信息，均转载自其他媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表我司赞同其观点及对其真实性负责。